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         IPS-CSF501D空乏型MOSFET,用於強調低耗電的充電裝置         3/29/2012 5:01:48 PM

IPS-CSF501D 為IPS 設計的一款空乏型MOSFET,用於強調低耗電的充電裝置,常搭配iWATT 方案,最高耗電為0.5毫瓦,月產量 10KK,為一款成熟產品.  歡迎咨詢我公司,可以為您提供專業的技朮服務!  

 

Part Number
 CSF501D★◆
Type
 
VDss(V)
 600
ID(A)
 30m
RDSON(ohm)
RDSON(ohm)
 700
RDSON(ohm)
 350
Qg(nC)
 1.14
Ciss(pF)
 50
Package
 SOT-23

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