IPS推出了新一代高压MOSFET产品——I系列高压MOSFET。这是IPS自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V—900V区间，工作电流在1A—25A之间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于LED 照明，AC-DC功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。
I系列产品优化了栅氧化层和其它相关制程，提高了栅源击穿电压，从而进一步提高了产品可靠性及稳定度；其突出表现在I系列产品在经过高温老化和HTRB可靠性试验后，IDSS仍然可以维持在几个nA的高水平，这保证了I系列器件在长时间工作的高可靠性。
此外，IPS应用在美国申请的专利技术，I系列产品通过在设计及制程上的演进，优化了原胞结构，有效减小了JFET效应，使得器件的单位面积导通电阻显著减小，从而降低了器件的静态损耗。 |
